廣東
美光（Micron）宣布，將擴大在美國的投資規(guī)模，在原計劃基礎(chǔ)上再增加300億美元，達到約2000億美元，用于尖端DRAM制造和研發(fā)。這次追加的部分主要用在愛達荷州博伊西建造第二座尖端DRAM工廠，以及擴建位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。
這項2000億美元的投資計劃里，其中1500億美元用在擴大美國的DRAM制造，另外500億美元用在開發(fā)更先進的存儲半導(dǎo)體技術(shù)。其中涵蓋了愛達荷州博伊西的兩座工廠、紐約的四座工廠、弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有工廠和擴建項目、先進的HBM封裝能力、以及推動美國創(chuàng)新和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的研發(fā)。這些投資旨在使美光能夠滿足預(yù)期的市場需求，保持市場份額，并支持美光實現(xiàn)其DRAM美國生產(chǎn)占比40%的目標。
在愛達荷州博伊西第一座工廠是美光實現(xiàn)了關(guān)鍵的建設(shè)里程碑，計劃2027年開始生產(chǎn)DRAM芯片，第二座工廠將提升產(chǎn)能，以滿足由AI推動的不斷增長的市場需求。在愛達荷州博伊西第二座工廠竣工后，美光計劃將先進的HBM封裝能力引入美國。
此外，弗吉尼亞州馬納薩斯的項目將提升美國本土DRAM制造能力，引入1α（1-alpha）工藝節(jié)點。這項投資將進一步升級生產(chǎn)線，以生產(chǎn)滿足本土汽車、航空航天、國防和工業(yè)市場應(yīng)用的特種DRAM產(chǎn)品。
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