芯東西（公眾號：aichip001）
編譯金碧輝
編輯程茜

芯東西4月22日消息，昨日，英特爾18A制程的更多技術細節被曝光，在性能、功耗、面積對比下，Intel 18A在標準Arm核心架構的芯片上，較前代Intel 3，1.1V標準電壓下可以實現25%的速度提升，功耗降低36%。即便在0.75V低壓場景下，仍能實現18%的性能躍升，同時功耗降低38%。

其性能值（Performance Metric）達到2.53，超越臺積電N2制程的2.27。

其在性能（Performance）、功耗（Power）、面積（Area）三大核心指標上的其他完整細節將在2025年6月8日至12日在日本京都公布。

一、Intel 18A制程對比Intel 3：性能提25%、功耗降36%、晶體管密度增28%

據英特爾技術白皮書透露，相較上一代Intel 3制程（約3nm），18A制程在相同電壓（1.1V）和電路復雜度下，可實現25%的性能提升；針對標準Arm核心子模塊，18A制程在同頻率同電壓條件下功耗降低36%。同時，18A制程在低電壓（0.75V）場景下性能提升18%且功耗進一步降低38%。

▲英特爾18A與英特爾3 PPA（功率、性能、面積）比較英特爾18A與Intel 3高密度庫、高性能庫

此外，18A制程的晶體管密度較Intel 3提升28%，單位面積可集成更多晶體管，為芯片小型化與功能集成提供支撐。

二、集成兩項革命性技術，下半年將實現量產

據Electropages報道，18A制程將首次集成兩項革命性技術：第一項是18A制程全環繞柵極RibbonFET晶體管，18A制程代替傳統FinFET結構，通過納米片堆疊實現對溝道電流的更精準控制，有效降低漏電流并提升開關速度，為1.8nm級線寬提供物理基礎。

第二項是PowerVia背面供電網絡，將電源傳輸線路從芯片正面轉移至背面，減少電源線對晶體管區域的占用，使芯片正面可部署更多邏輯單元，同時降低電源損耗，實現15%的供電效率提升。

18A制程于2025年4月進入風險試產階段，計劃下半年實現量產。

三、首發落地消費級處理器，后續擴展至數據中心

Intel透露，18A制程將首先應用于2025年底投產的消費級處理器（如第15代酷睿），隨后擴展至數據中心級至強芯片及神經形態計算芯片。該制程支持多種先進封裝技術，包括Foveros 3D堆疊與EMIB嵌入式多芯片互連，可滿足AI芯片對高帶寬、低延遲的需求。

當前臺積電3DFabric（N2）與三星GAA（2nm）制程均處于試產階段，Intel 18A憑借明確的PPA參數與量產時間表，有望重新爭奪高端代工市場份額。據分析機構Gartner報道，英特爾18A制程的功耗優化特性尤其適用于移動終端與邊緣計算設備，同時其性能提升將增強該公司在AI推理芯片領域的競爭力。

結語：性能功耗面積三重突破加持，革命性18A制程將首秀

英特爾基于其在性能、功耗、面積上的自主突破，首次集成18A制程項革命性技術，使得英特爾能滿足AI芯片的需求。這一定程度上標志著英特爾在芯片制造等核心技術上有更佳成效，有望重新爭奪高端代工市場份額。

長期來看，隨著18A芯片不斷明確參數并擴大量產，英特爾可能會依靠RibbonFET和背面供電技術實現制程反超。

來源：TrendForce、Economic Daily News