SK 海力士在第一季度超越三星電子，首次登上全球 DRAM 市場的榜首。SK 海力士憑借其高帶寬內存（HBM）優勢登上存儲半導體行業的王座，標志著市場領導地位的重大轉變。

根據多家市場研究公司關于 2023 年第一季度 DRAM 市場的報告，SK 海力士已超越三星電子，占據了首位。

集邦科技（TrendForce）6 月 3 日發布的分析顯示，SK 海力士在第一季度的 DRAM 市場中錄得 97.2 億美元的銷售額（市場份額 36%），首次在單季度基礎上登頂。三星電子以 33.7% 的市場份額排名第二，美光（Micron）以 24.3% 的份額位居第三。SK 海力士的市場份額從 2022 年第四季度的 36.6% 小幅下降至 36%，但三星電子的份額從 39.3% 大幅下降至 33.7%，使得 SK 海力士得以超越。

早在 4 月，市場研究公司 Counterpoint Research 也曾報告稱，SK 海力士在 2023 年第一季度以 36% 的份額引領全球 DRAM 市場，而三星電子的份額為 34%。

就在 2022 年第一季度時，兩家公司的市場份額差距還超過 10 個百分點，三星電子為 43.9%，SK 海力士為 31.1%。然而，到 2022 年第四季度，差距迅速縮小，三星電子為 39.3%，SK 海力士為 36.6%，進而導致了今年的逆轉。

集邦科技將這一結果歸因于 SK 海力士高價值產品（如 HBM3E）的出貨比例增加，而三星電子由于無法直接向中國銷售 HBM，其 HBM3E 的出貨量有所下降。SK 海力士目前實際上是向英偉達供應第五代 HBM（HBM3E）的獨家供應商。他們上個月還提前提供了其下一代 HBM4（第六代）12 層產品的樣品。相比之下，三星電子在為英偉達提供 HBM3E 產品認證方面已延遲逾一年，難以獲得領先地位。

三星電子已采取特別措施以重獲 HBM 領域的競爭力。他們正在實施精選和集中策略，減少 HBM2E 等舊款 HBM 的生產，增加最新產品的產量。特別是，他們計劃專注于第六代 HBM（HBM4）。據報道，三星電子正在為 HBM4 應用重新設計其 10 納米級的第六代（1c）DRAM，與現有設計相比，增大了芯片尺寸，并提高了良率和穩定性。

在 4 月的第一季度收益公告中，三星電子表示：“我們已向主要客戶完成了改進版 HBM3E 產品的樣品供應，預計從第二季度開始，銷售貢獻將逐步增加。” 他們還補充道：“HBM 銷售量預計在第一季度觸底，隨著改進版 HBM3E 產品銷售的擴大，每個季度將逐步回升。” 關于 HBM4，他們表示：“開發正按計劃推進，目標是在下半年實現量產，與客戶項目進度保持一致。”

與此同時，全球 DRAM 市場第一季度的總銷售額環比下降 5.5%，至 270.1 億美元。這歸因于 DRAM 合約價格的下跌以及 HBM 出貨量的減少。不過，集邦科技預測 DRAM 市場將在第二季度重拾 momentum（發展勢頭）。

集邦科技預測：“在第二季度，個人電腦和智能手機制造商將完成庫存調整，并根據美國 90 天的相互關稅寬限期增加生產，這將導致 DRAM 供應商的出貨量顯著增加。”

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