近年來，英特爾在先進芯片制程方面的態度很高調，宣稱自己在先進芯片制程（18A）上斬獲重要進展，已臨近量產階段。其底氣的重要來源之一，是采用了ASML最新的高數值孔徑極紫外光刻機（High - NA EUV），請參閱上圖。

那么，作為該領域的領先者，臺積電方面的態度如何呢？近日，在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上，臺積電副首席運營官兼業務發展及全球銷售高級副總裁張曉強（kevin zhang，圖二為其資料圖）透露了部分相關消息，可作為參考。

張曉強表示：

“每當談到臺積電何時會采用High-NA光刻機這個話題，大家都非常感興趣。對此，我們的答案很簡單：如果我們認為High-NA光刻機能帶來有意義且可衡量的好處，就會采用。

就A14工藝而言，我們可以在不使用High-NA光刻機的情況下實現，且表現良好。因此，在現階段我們的技術團隊會繼續尋找方法來延長當前極紫外光刻機（EUV）的使用壽命，專注于改進現有工藝。”

據悉，臺積電的A16工藝（1.6 納米）采用第二代納米片環繞柵極晶體管（GAA）和一種全新的標準單元架構。其本質上是現有N2工藝的改良版，相當于是N2P工藝。由于現有的N2工藝無需使用High - NA 光刻機，所以A16工藝同樣無需使用。

相比之下，A14工藝是一個包含更多創新、更復雜的全新的節點，預計將于2028年量產，盡管如此，臺積電表示A14工藝也無需使用High-NA光刻機。

張曉強透露，臺積電技術團隊已經找到了一種新方法，可以在不使用能提供8納米分辨率的High-NA光刻機的情況下，制造1.4納米級芯片，并強調“這是我們技術團隊所取得的一項重大創新”。

臺積電表示，基于A14工藝制造的芯片，晶體管密度比N2工藝提高20%。在相同功耗和復雜度下性能可提升多達15%，或者在相同頻率下功耗可降低25%至30%。

綜合目前已知的情況，英特爾將從2027年至2028年開始在其14A工藝節點使用High-NA光刻機。而臺積電方面并不著急，預計至少要到2030年之后才會采用。小編將在第一時間分享更多相關最新動態和爆料，敬請關注。