導(dǎo)讀：2025年5月21日，多家媒體稱Wolfspeed準(zhǔn)備提交破產(chǎn)申請，其股價(jià)當(dāng)日暴跌超50%。目前，Wolfspeed面臨高達(dá) 65 億美元的債務(wù)壓力，而現(xiàn)金儲(chǔ)備僅為13億美元，償債壓力巨大。Wolfspeed如何從神壇跌落，由行業(yè)龍頭淪落至破產(chǎn)？國內(nèi)化合物半導(dǎo)體企業(yè)目前現(xiàn)狀如何？賽道內(nèi)投融趨勢有無變化？本文嘗試分析和探討。

01 Wolfspeed的前世今生

Wolfspeed的前身Cree成立于1987年，聚焦碳化硅材料在LED領(lǐng)域的商業(yè)化。2016年，Cree 出售 LED照明業(yè)務(wù)部，次年將微波射頻業(yè)務(wù)獨(dú)立為Wolfspeed 品牌，專注于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)。Wolfspeed還通過收購英飛凌射頻功率業(yè)務(wù)和布局8英寸碳化硅晶圓廠，市占率一度突破60%，確立了在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

Wolfspeed專注于碳化硅半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)與制造，是全球唯一實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底、外延片、器件全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的企業(yè)。從產(chǎn)品類型上來看，Wolfspeed的主要產(chǎn)品覆蓋分立器件、功率模塊和裸芯片，下游市場包括新能源汽車、可再生能源、工業(yè)等。

碳化硅（SiC）是由硅和碳通過共價(jià)鍵結(jié)合形成的化合物半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)具有多種同素異形體，碳化硅的獨(dú)特性能使其在高壓、高溫、高頻、高功率密度場景中遠(yuǎn)超硅基器件。具體而言，由于碳化硅的禁帶寬度達(dá)3.26 eV（硅為1.12 eV），意味著器件能承受更高的電壓（擊穿場強(qiáng)是硅的10倍），同等電壓下可設(shè)計(jì)更薄的漂移層，降低導(dǎo)通損耗。目前，碳化硅的下游主要包括新能源汽車、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能，同時(shí)，由于碳化硅折射率顯著高于玻璃，其視場角更大，也被認(rèn)為是下一代AR眼鏡光波導(dǎo)的核心組成部分。

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并列成為第三代半導(dǎo)體的核心技術(shù)。其電子遷移率遠(yuǎn)超碳化硅，因而適用于更高頻的場景，可顯著減少電感、電容等被動(dòng)元件體積。此外，氮化鎵還具備高熱導(dǎo)率和高能效比，可有效減少能量損耗的同時(shí)，提升散熱效率。由于氮化鎵的優(yōu)良特性，一般被用于消費(fèi)電子快充、數(shù)據(jù)中心與通信電源能源、射頻與通信領(lǐng)域。

與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體具備寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢，適用于高壓、高頻、高溫場景。而硅基半導(dǎo)體依賴成熟的制造工藝和低成本優(yōu)勢，占據(jù)消費(fèi)電子、工業(yè)控制等傳統(tǒng)市場。值得注意的是，第三代半導(dǎo)體由于制造成本較高，僅有部分特定場景用途，被稱為“能源革命的鑰匙”。而硅基半導(dǎo)體用途更廣，在超大規(guī)模集成電路中仍是主流核心。硅基半導(dǎo)體與第三代半導(dǎo)體并非完全的替代關(guān)系，而將長期共存，共同構(gòu)建半導(dǎo)體體系。

圖表 1：硅基半導(dǎo)體與第三代半導(dǎo)體區(qū)別

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理、來覓數(shù)據(jù)

2021年，Wolfspeed為抓住新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的機(jī)遇，啟動(dòng)大規(guī)模的產(chǎn)能擴(kuò)張，包括投資數(shù)十億美元建設(shè)莫霍克谷 8 英寸晶圓廠，并計(jì)劃花費(fèi)30億美元與采埃孚在德國共建全球最大碳化硅工廠。然而市場錯(cuò)配、成本激增與來自其他供應(yīng)商的競爭加劇，使得公司陷入巨大的財(cái)務(wù)危機(jī)。華爾街分析師認(rèn)為盡管公司在技術(shù)上仍占據(jù)優(yōu)勢，但公司唯一的出路是破產(chǎn)清算或被收購。

從市場領(lǐng)頭羊到瀕臨破產(chǎn)，如何理解Wolfspeed的困境？Wolfspeed 破產(chǎn)的直接原因是由于激進(jìn)擴(kuò)張而導(dǎo)致的債務(wù)壓力過大，目前其負(fù)債高達(dá)65億美元，而現(xiàn)金儲(chǔ)備僅為13億美元。此外，大客戶特斯拉減少使用碳化硅芯片與終端市場復(fù)蘇不及預(yù)期也是公司困境的一部分，目前莫霍克谷工廠產(chǎn)能利用率僅 25%，8英寸晶圓良率長期低于30%，而行業(yè)基準(zhǔn)約為70%。其中，最重要的原因是海外競爭者尤其是來自中國的企業(yè)產(chǎn)能與技術(shù)上的突破。

事實(shí)上，中國廠商正逐步崛起，蠶食海外龍頭的市場份額，2024年，Wolfspeed的市占率約為30%，較2021年下降幅度超30%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)憑借成本優(yōu)勢快速崛起，2024年市占率分別達(dá)17.1% 和17.3%，且8英寸襯底價(jià)格僅為國際水平的30%。比亞迪新建碳化硅工廠預(yù)計(jì)2025年投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模全球第一，是第二名的十倍。

02 中國化合物半導(dǎo)體的低調(diào)崛起

區(qū)別于普通的硅基半導(dǎo)體，我們將兩種或兩種以上化學(xué)元素通過化學(xué)鍵結(jié)合形成的半導(dǎo)體材料都稱為化合物半導(dǎo)體。化合物半導(dǎo)體除了我們此前提到的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料外，還包括砷化鎵、磷化銦、氧化鋁、金剛石等其他材料。化合物半導(dǎo)體材料成本高昂，但能解決硅基無法勝任的高頻、高壓、高溫、光電融合等場景需求，是突破硅基物理極限的“下一代半導(dǎo)體”。

化合物半導(dǎo)體前景廣闊，根據(jù)QYResearch 數(shù)據(jù)，2024年化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模超過230.5億美元，且在2024-2030年CAGR超過10%。在化合物半導(dǎo)體下游中，新能源汽車、5G通信、光電子領(lǐng)域的需求爆發(fā)帶動(dòng)了化合物半導(dǎo)體飛速增長。分地域看，亞太地區(qū)尤其是中國市場規(guī)模最大，增速最快，約占全球化合物半導(dǎo)體規(guī)模的36%，這主要是由于國內(nèi)雙碳戰(zhàn)略的推進(jìn)，以及光電器件的蓬勃發(fā)展導(dǎo)致的。

圖表 2：2020-2030E全球化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測 （單位：億美元）

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理、來覓數(shù)據(jù)

2020年以來，國家通過戰(zhàn)略規(guī)劃、財(cái)稅優(yōu)惠、研發(fā)支持、應(yīng)用牽引等多維度政策，構(gòu)建了化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策體系。這些政策覆蓋了從材料研發(fā)、器件制造到應(yīng)用推廣的全產(chǎn)業(yè)鏈，旨在突破技術(shù)瓶頸、提升自主可控能力，并推動(dòng)其在新能源、5G、智能制造等領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用。

2021年的十四五規(guī)劃明確提出，將碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為重點(diǎn)發(fā)展方向，明確提出 “突破寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展”，并將其納入集成電路領(lǐng)域的核心攻關(guān)任務(wù)。這一規(guī)劃為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展提供了頂層設(shè)計(jì)。2021年，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心由科技部批復(fù)成立，按照 “1 總部+ 6 中心” 模式布局，聚焦碳化硅器件技術(shù)研發(fā)，建立成熟的 SiC 肖特基二極管和 MOSFET 產(chǎn)品技術(shù)體系，支撐新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用。地方政府也積極響應(yīng)國家戰(zhàn)略，出臺(tái)針對性政策支持化合物半導(dǎo)體發(fā)展，如江蘇2024年提出要打造國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，支持南京、蘇州等地建設(shè)研發(fā)中心和產(chǎn)業(yè)園區(qū)。

目前，化合物半導(dǎo)體市場競爭格局呈現(xiàn)國際巨頭主導(dǎo)高端、國內(nèi)企業(yè)快速追趕的態(tài)勢，不同材料（如碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN、氧化鎵 Ga?O?）的技術(shù)路徑和應(yīng)用場景差異顯著，形成了多元化的競爭格局。從區(qū)域來看，日本占據(jù)了化合物半導(dǎo)體全球25%的市場份額，Sumitomo Electric、SCIOCS、Mitsubishi Chemical 等企業(yè)在 SiC 襯底、GaN 外延片等領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先。北美地區(qū)占據(jù)20%的市場份額，Wolfspeed、Qorvo在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)較為領(lǐng)先。此外，歐洲則集中在工業(yè)應(yīng)用，英飛凌、意法半導(dǎo)體等廠商在碳化硅功率器件技術(shù)成熟，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車與工業(yè)領(lǐng)域。其他地區(qū)尤其是中國大陸亦表現(xiàn)出了不俗的實(shí)力。

以熱門的碳化硅為例，目前Wolfspeed市場份額雖有下滑，但仍是市場最大的玩家。而國內(nèi)廠商如天科合達(dá)、士蘭微、天岳先進(jìn)等開始逐步提升份額，僅天岳先進(jìn)和天科合達(dá)兩家的市場份額就已經(jīng)超越了Wolfspeed，這是由于國內(nèi)廠商在6英寸襯底量產(chǎn)技術(shù)的突破導(dǎo)致的。目前國內(nèi)廠商的成本較海外龍頭低約20%，且交貨周期縮短30%。自2021年以來，Wolfspeed發(fā)力8英寸碳化硅襯底，但由于良率過低，成本并未如預(yù)期下降的那么迅速。而國內(nèi)廠商則通過更為成熟的6英寸產(chǎn)線顯著降低成本，加之國內(nèi)新能源車市場大爆發(fā)的供應(yīng)鏈優(yōu)勢，市場份額提升明顯。

類似的情況也發(fā)生在氮化鎵上，2025年中國GaN市場規(guī)模預(yù)計(jì)超300億元，占全球份額近40%，其中消費(fèi)電子、新能源汽車及5G通信為三大核心應(yīng)用場景。目前國內(nèi)企業(yè)英諾賽科是全球最大的8英寸氮化鎵晶圓制造商，而蘇州晶湛是全球唯一實(shí)現(xiàn)12英寸氮化鎵外延片量產(chǎn)的企業(yè)，技術(shù)指標(biāo)對標(biāo)海外大廠。目前本土企業(yè)在襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)加速突破，雖然高端市場仍被海外巨頭主導(dǎo)，但國內(nèi)企業(yè)整體份額已超過40%。未來，隨著下游市場不斷擴(kuò)大以及專利申請數(shù)的增加，國內(nèi)廠商有望突破高端市場，市場份額會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。

未來的世界需要越來越多的化合物半導(dǎo)體。自特斯拉開始在電驅(qū)系統(tǒng)內(nèi)使用碳化硅器件以來，此后的新能源汽車爭相效仿。碳化硅器件可以使新能源汽車?yán)m(xù)航里程提升10%，而不斷滲透的新能源汽車直接拉動(dòng)碳化硅的需求。在光伏逆變器上，碳化硅器件可將轉(zhuǎn)換效率從96%提升至99%，單臺(tái) 1MW 逆變器每年可節(jié)省3萬度電。此外，5G/6G的網(wǎng)絡(luò)建設(shè)也極大催生了氮化鎵的應(yīng)用。氮化鎵可使5G信號覆蓋范圍擴(kuò)大三倍，而6G所需的太赫茲頻段更以來化合物半導(dǎo)體材料。以2030年實(shí)現(xiàn)6G商用的節(jié)奏，未來僅氮化鎵的市場規(guī)模就高達(dá)數(shù)百億美元。消費(fèi)電子快充的需求也同步刺激了氮化鎵市場，智能手機(jī)快充成為標(biāo)配的背景下，僅2025年就帶來約25億美元市場的市場增量。

全球同步建設(shè)的衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)也同樣刺激了砷化鎵射頻芯片市場的增長，低軌衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的單顆衛(wèi)星平均使用5000-10000個(gè)GaAs MMIC器件。2025年亦為硅光元年，硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓可實(shí)現(xiàn)1.6Tbps 光模塊量產(chǎn)，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心的算力需求。目前化合物半導(dǎo)體的下游中，新能源汽車（35%）、通信（28%）、消費(fèi)電子（18%）為前三大應(yīng)用領(lǐng)域，合計(jì)占比超80%。隨著科技的發(fā)展，高頻、高速的場景逐漸豐富，8英寸 SiC/GaN 產(chǎn)線的規(guī)模化投產(chǎn)和 6G、AI 等新興領(lǐng)域的技術(shù)落地，化合物半導(dǎo)體將成為支撐全球科技革命的核心基石。

2025年5月，英偉達(dá)與納微半導(dǎo)體宣布合作開發(fā)800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)，而在這個(gè)架構(gòu)中，碳化硅器件扮演了重要作用。碳化硅器件不僅能在高溫環(huán)境下仍能保持高效運(yùn)行，而且在80-120V 中壓場景下的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)48V-54V輸出的高效轉(zhuǎn)換，功率密度達(dá)137W/in3，效率超97%，支撐 Rubin Ultra 等 GPU 的高密度供電需求。這充分說明了，在未來復(fù)雜的電路環(huán)境中，化合物半導(dǎo)體由于自身特性能獲得更快增長，而國內(nèi)廠商憑借能擴(kuò)張與技術(shù)突破，有望占據(jù)更多市場份額。

03 投融動(dòng)態(tài)

近年化合物半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)顯著的結(jié)構(gòu)性矛盾：一方面，SiC等主流賽道因產(chǎn)能擴(kuò)張過快陷入價(jià)格戰(zhàn)，2024 年全球N型 SiC 襯底營收同比下滑 9%，6英寸襯底價(jià)格跌破500美元/片，逼近廠商成本線。國內(nèi)企業(yè)如天科合達(dá)、天岳先進(jìn)通過低價(jià)策略搶占市場，導(dǎo)致國際巨頭 Wolfspeed 市占率從 60% 以上降至 33.7%，行業(yè)內(nèi)卷加劇。另一方面，新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域?qū)Ω吖β省⒏哳l電路的需求持續(xù)爆發(fā)，2025年全球化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)250億美元，其中碳化硅和氮化鎵在電力電子領(lǐng)域的復(fù)合增長率超13%。這種 "低端過剩、高端緊缺" 的格局，正推動(dòng)行業(yè)從規(guī)模擴(kuò)張向技術(shù)升級轉(zhuǎn)型。

目前化合物半導(dǎo)體投融熱度有所消退。新能源企業(yè)下游內(nèi)卷加劇，上游的化合物半導(dǎo)體器件成本壓力也隨之增長，在這種背景下，資本對這一賽道態(tài)度更為謹(jǐn)慎。長期以來，化合物半導(dǎo)體的賽道投資呈現(xiàn)出政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的特點(diǎn)，地方國資和產(chǎn)投基金最為關(guān)注這一賽道。因而熱度雖有降低，但考核壓力不大的資本仍然關(guān)注，長期投融這一賽道。不過，我們認(rèn)為困難是暫時(shí)的，目前市場已出現(xiàn)相當(dāng)多的正面消息。而隨著8英寸產(chǎn)線規(guī)模化投產(chǎn)與新興應(yīng)用場景落地，行業(yè)將從無序內(nèi)卷轉(zhuǎn)向有序分化，具備技術(shù)儲(chǔ)備與產(chǎn)業(yè)鏈整合能力的企業(yè)有望在全球競爭中占據(jù)主導(dǎo)地位。

下表是我們整理的2025年以來化合物半導(dǎo)體發(fā)生的相關(guān)投融事件，2025年已出現(xiàn)數(shù)起十億元以上融資事件。我們可以看到融資多分布于A輪以后，顯示出資本對賽道的長期布局。感興趣的讀者，可以登錄Rime PEVC平臺(tái)獲取化合物半導(dǎo)體賽道全量融資案例、被投項(xiàng)目及深度數(shù)據(jù)分析。

圖表 3：2025年以來中國化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域部分投融情況

數(shù)據(jù)來源：來覓數(shù)據(jù)

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